特許
J-GLOBAL ID：200903024747395006
能動インダクタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325396
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181571
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波帯以上の高周波帯においてもインダクタンス値が大きく、無損失でかつ小型化が可能な能動インダクタを実現する。【構成】 ゲート接地の第1のFETと、ゲート電極が第1のFETのドレイン電極に接続されたソース接地の第2のFETと、ソース電極が第1のFETのソース電極に接続され、ゲート電極が第2のFETのドレイン電極に接続されたドレイン接地の第3のFETとを備え、第2のFETのドレイン電極とソース電極とをインダクタの2端子とする。
請求項（抜粋）：
ゲート接地の第1の電界効果トランジスタ(以下「FET」という)と、ゲート電極が前記第1のFETのドレイン電極に接続されたソース接地の第2のFETと、ソース電極が前記第1のFETのソース電極に接続され、ゲート電極が前記第2のFETのドレイン電極に接続されたドレイン接地の第3のFETとを備え、前記第2のFETのドレイン電極とソース電極とをインダクタの2端子としたことを特徴とする能動インダクタ。
IPC (2件)：
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