特許
J-GLOBAL ID：200903024749332010
半導体受発光素子用の電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359674
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191640
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 半田ディップ法により半導体受発光素子を配線基板に実装するための電極において、電極剥がれが起こらずかつ半田耐性が実装条件に十分耐えうる半導体受発光素子用の電極を提供する。【解決手段】 半導体表面上に順に積層された、半導体とオーミック接合を形成する第一の金属層と半田などのろう材に浸食されにくくかつ比較的半田濡れ性が良好な第二の金属層と半田濡れ性が良好な第三の金属層とからなる半導体受発光素子用の電極において、第一の金属層の厚み、第二の金属層の厚み、第三の金属層および第二の金属層と第一の金属層の厚みの比率、第二の金属層と第三の金属層の厚みの比率を最適化する。
請求項（抜粋）：
半導体表面上に順に積層された、半導体とオーミック接合を形成する第一の金属層と半田などのろう材に浸食されにくくかつ比較的半田濡れ性が良好な第二の金属層と半田濡れ性が良好な第三の金属層とからなる半導体受発光素子用の電極において、前記第一の金属層の厚みが0.3μm以上1.0μm以下であることを特徴とする半導体受発光素子用の電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 23/48 Y
