特許
J-GLOBAL ID：200903024753166400
マスク、マスク修正装置及びマスク修正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130304
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323578
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：
【要約】【目的】 FIB欠陥修正による基板の透過率の低下を防ぐ。【構成】 フォトマスクの基板上層にエネルギーイオンを光透過率の変化が生じなくなるまで照射することにより半透明層を形成する。マスクの欠陥修正の際にFIBをマスクの法線方向より25度以上傾けて照射する。【効果】 マスク基板上のFIB照射部分の透過率低下を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
透明基板と、透明基板の光透過率の減少がほぼなくなるまで透明基板にイオンを照射することにより形成された所望の厚さの半透明層と、この半透明層の上所定位置に設けられた遮光膜とを備えたことを特徴とするマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 301 W
