半導体素子・集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉名謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044101
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254593
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】低誘電率、低吸水率、低水蒸気透過性、および下地の凹凸に対する優れた埋め込み平坦性を併せ持った表面保護膜を形成することによって、優れた電気的特性、信頼性を持つ半導体素子・集積回路装置を得ることを目的とする。【構成】半導体素子上に表面保護膜として、フッ素樹脂の薄膜を介して無機膜が形成されてなる半導体素子・集積回路装置。

請求項（抜粋）：