特許
J-GLOBAL ID：200903024777375727
多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
佐藤 辰彦
, 鷺 健志
, 本間 賢一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-350643
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186354
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】配線を細密化することができる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁体層2の両面の配線層3がバンプ4により接続されている配線基板1の配線層3の上に絶縁体層2を形成し、レーザー光を照射してバンプ4に接続する位置を露出する穴部6を形成し、メッキを施してビア6aを形成し、ビア6aにメッキを施して該ビア6aに充填されるメッキ層9を形成し、その上からエッチングを施して第1の配線パターン10を形成す工程と、別途、バンプ4が形成された導電性支持体5上に絶縁体層2を積層して加圧することによりバンプ4を絶縁体層2に貫通せしめ、バンプ4の先端を絶縁体層2から露出せしめておき、このバンプ4の先端4aを、ビア6a上のメッキ層9の凹みに圧着するように第1の配線パターン10の上に積層し、エッチングを施して第2の配線パターン12を形成する工程とを備える。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
第1の絶縁体層の両面に形成された2つの配線層が第1の絶縁体層を貫通する第1のバンプにより接続されている配線基板の少なくとも一方の配線層の上に合成樹脂からなる第2の絶縁体層を形成する工程と、
該第2の絶縁体層の表面にレーザー光を照射して、該配線層の該第1のバンプに接続する位置を露出する穴部を形成する工程と、
該第2の絶縁体層上と、該穴部とにメッキを施して、該第2の絶縁体層上に施されたメッキにより第1の導電体層を形成し、該穴部に施されたメッキにより該第1の導電体層と該配線層とを接続するビアを形成する工程と、
該ビアにメッキを施して該ビアに充填されるメッキ層を形成する工程と、
該第1の導電体層にエッチングを施して所定の第1の配線パターンを形成する第1のエッチング工程と、
別途、所定位置に第2のバンプが形成されたシート状導電性支持体上に合成樹脂からなる第3の絶縁体層を積層して加圧することにより該第2のバンプを該第3の絶縁体層に貫通せしめ、該第2のバンプの先端を該第3の絶縁体層から露出せしめてシート状導電性支持体と第3の絶縁体層との積層体を形成する積層体形成工程と、
該積層体形成工程で形成された第2のバンプの先端を、第1のエッチング工程で残留したビア上のメッキ層の表面に圧着せしめて、第1のエッチング工程で形成された第1の配線パターンの上に、該第3の絶縁体層と該シート状導電性支持体とを積層する工程と、
該シート状導電性支持体にエッチングを施して所定の第2の配線パターンを形成する第2のエッチング工程とを備え、
該第1のバンプと、該ビアと、該メッキ層と、該第2のバンプとが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H05K3/46 B
, H05K3/46 N
, H05K3/46 X
, H05K3/00 N
5E346AA43
, 5E346CC08
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346DD25
, 5E346DD32
, 5E346FF15
, 5E346GG15
, 5E346GG22
, 5E346HH26
