特許
J-GLOBAL ID：200903024789773906
積層セラミックコンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098400
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299289
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】卑金属を内部電極とする積層セラミックコンデンサを、焼成時の雰囲気コントロールなく大量に安定して製造する方法を提供するものである。【構成】卑金属内部電極層を有する積層セラミックコンデンサの製造方法において、有機成分を除去する脱バインダ工程と、その後脱バインダ工程において酸化した積層セラミックコンデンサ未焼結体中の卑金属内部電極層3を、誘電体層1,2および卑金属内部電極層3が焼結しない温度と雰囲気で還元し金属化するメタライズ工程と、その後卑金属内部電極層3を還元するガスを含まない雰囲気中で誘電体層1,2と卑金属内部電極層3を焼結させる工程を有し、大量焼成を安定して行なうことを可能にする。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体セラミック層とそれを挟む卑金属内部電極層を同時に焼成して作製する積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記誘電体セラミック層および卑金属内部電極層中の有機成分を、炭素に対して充分な温度と雰囲気で熱処理して除去する脱バインダ工程と、その後この脱バインダ工程において酸化した積層セラミックコンデンサ未焼結体中の卑金属内部電極層を、誘電体セラミック層および卑金属内部電極層が焼結しない温度と雰囲気で還元し金属化するメタライズ工程と、その後卑金属内部電極層を還元するガスを含まない雰囲気中で誘電体セラミック層と卑金属内部電極層を焼結させる工程を有することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
IPC (3件)：
H01G 4/12 364
, H01G 4/12 361
, H01G 4/30 311
