特許

J-GLOBAL ID：200903024791232491

液晶セル基板の表面処理方法

発明者： ウイリス・エイチ・スミス、ジュニア
出願人/特許権者： ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-105746
公開番号（公開出願番号）：特開平7-134299
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 液晶セル基板に液晶配向のための表面処理を施すにあたり、基板上のSiO2 被膜の処理時間を減らす。【構成】 基板(16)をマイクロ波加熱炉中で加熱することにより、二酸化シリコンで被覆された導電性基板をるつぼ(12)からのアルコール蒸気に接触させる。基板およびアルコールのソースを容器(10)に入れ、加熱の間、必要に応じて真空引きする。この方法は、従来技術の数時間から数分へとおおよそ100倍の処理時間の減少をもたらす。この方法は、セル中の液晶に垂直配向または水平配向のいずれを導入するのにも用いることができる。

請求項（抜粋）：

(a)シリカ源から基板上にシリカの層を蒸着する工程と;(b)処理された基板をマイクロ波加熱炉中で約1から5分の範囲の時間にわたって加熱することにより、シリカで被覆された基板をアルコール蒸気で処理する工程と;(c)前記処理された基板を液晶の層で覆う工程とを具備したことを特徴とする、導電層が設けられた基板の主表面上で液晶の配向を生じさせる処理基板の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/1337 515 ,  G02F 1/1333 500