特許

J-GLOBAL ID：200903024795039416

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 大橋 直史 ,  山口 日出 ,  大和田 伸郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287048
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135327
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 平坦性が高く配線間ショートが少ない多層配線を有する半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 多層配線構造における4層目の層間絶縁層28に、無機SOG膜26とその下層および上層に酸化シリコン膜25,27が配置されたものが使用されており、同層の5層目の配線層29の隣接配線層間の平坦性が向上し、それらの5層目の配線層29の配線間ショートが防止されているものである。

請求項（抜粋）：

多層配線構造における4層目以上の層間絶縁層に、無機SOG膜が使用されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M