特許

J-GLOBAL ID：200903024800604534

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 宋 潤洽
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296309
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144924
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 チャンネル導電層の全面に遮断膜として絶縁膜を備える薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、半導体基板20と、前記半導体基板20上の限定領域に形成された第1導電層パターン22aと、前記第1導電層パターン22aを含む前記半導体基板20の全面に形成された第1絶縁膜24と、前記絶縁膜24の限定領域に前記第1導電層パターン22aを取り囲むように形成され縁部には導電性不純物が注入された第2導電層パターン26aと、前記第2導電層パターン26aの上部全面に形成された第2絶縁膜パターン28aを備えることを特徴とする。これにより、薄膜トランジスタのスレショルド電圧の変化や特性劣化の防止が可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上の限定領域に形成された第1導電層パターンと、前記第1導電層パターンを含む前記半導体基板の全面に形成された第1絶縁膜と、前記絶縁膜の限定領域に、前記第1導電層パターンを取り囲むように形成され、縁部には導電性不純物が注入された第2導電層パターンと、前記第2導電層パターンの上部全面に形成された第2絶縁膜パターンを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 623 A