特許

J-GLOBAL ID：200903024800657859

半導体レーザ装置

発明者： 穴山 親志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297128
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154023
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は光通信用の半導体レーザ装置に関し、民生用の光通信光源としての半導体レーザ素子を提案する。【構成】 半導体レーザ1の基板2がGaAs、且つ、活性層3がGaInAsNにて構成される。

請求項（抜粋）：

基板(2) がGaAsであり、且つ活性層(3) がGaInAsNにて構成されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。