特許
J-GLOBAL ID：200903024810181135
混成集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139196
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320820
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 近年、軽薄短小の流れから、チップ部品をセラミック等のハイブリッド基板に実装しているが、コスト的に限界にきている。また抵抗体を出力トランジスタの検出抵抗体として使う場合、温度特性や放熱特性が問題となる。本発明の目的は、このコスト、温度特性および放熱性改善することである。【解決手段】 自己酸化により表面に酸化膜等の絶縁層23が形成可能な導電部材を基板22とし、この上に抵抗膜24を実装する。導電部材22も絶縁層23も同じ導電材料を主材料としているので、熱伝導性に優れる。またヒートシンク25は半田26,27を介して固着できるため、絶縁層下層よりランドまでは熱的に結合され、過渡特性の優れた抵抗素子が実現できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が絶縁性を有する混成集積回路基板上に設けられた所望形状の導電路に抵抗素子を含む受動素子および能動素子が接続され、所望の回路を構成した混成集積回路装置に於いて、前記抵抗素子となる抵抗体パターンは、酸化することによりその表面に絶縁層が形成可能な導電材料より成る抵抗基板の上に、自己酸化によりまたは化学反応により付着させた前記絶縁層を介して設けられ、前記抵抗基板は、前記混成集積回路基板上に実装される金属製ヒートシンクの上にロウ材を介して固着されることを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (4件)：
H01C 17/00
, H01L 27/01 301
, H05K 1/16
, H05K 1/18
H01C 17/00 Z
, H01L 27/01 301
, H05K 1/16 C
, H05K 1/18 U
