特許
J-GLOBAL ID：200903024813807809
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177647
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008394
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 結晶性珪素膜を用いたTFTにおいて、加熱処理による結晶化を従来より低温で行う。また結晶粒界の影響を排除する。【解決手段】 図1(D)に示すように活性層102の一部を露呈させ、そこに珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケル元素を導入する。このニッケル元素が導入された領域は後にソース/ドレイン領域となる。そして加熱処理を施すことにより、図1(E)に示すようにニッケルが選択的に導入された領域からマスクされていた領域(後にこの領域にチャネル領域が形成される)に向かって結晶成長を行わせる。そしてチャネル領域となる中央の領域で結晶成長の先端部分が衝突し、そこに結晶粒界108が形成される。ニッケルを利用することで低温化が達成でき、また結晶粒界は全てのTFTにおいて同じように形成されるので、その影響を平均化することができる。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、該ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極とを有し、活性層中において、ソース及びドレイン領域から結晶成長した先端部分がチャネル領域の中央で衝突した構造を有し、ソース及びドレイン領域にはチャネル領域中に比較して珪素の結晶化を助長する金属元素がより高い濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 618 G
