特許
J-GLOBAL ID:200903024826958172
光学素子の製造方法及び製造システム並びにこの製造方法を用いて製作された光学素子及びこの光学素子を用いた露光装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大西 正悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-102142
公開番号(公開出願番号):特開2001-290014
出願日: 2000年04月04日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】 高精度のマルチレベルバイナリ光学素子を得る【解決手段】 感光性のレジスト膜が形成された基板上に複数のマスクを用いて多重露光し、この基板を現像処理してレジスト膜厚が露光量に応じて段階的に異なるレジスト層を形成し、これをエッチング処理して基板上にマルチレベルバイナリの立体形状を創成する光学素子の製造方法において、多重露光の工程にレジスト膜に対する露光量と現像後のレジスト膜の残膜率との関係が略一次の比例関係となる最小露光量以上のベース露光量Aで、立体形状の創成領域全体を露光するベース露光工程と、最終の残膜率に相当する露光量をBとしたときにB-Aなる露光量を分割して露光する立体形状創成のための多重露光工程とを有して光学素子を製造する。
請求項(抜粋):
感光性のレジスト膜が形成された基板上に、異なるマスクパターンを有する複数のマスクを用いて多重露光し、前記多重露光された基板を現像処理して前記レジスト膜厚が露光量に応じて段階的に異なるレジスト層を形成し、前記レジスト層が形成された基板をエッチング処理して前記基板上に前記レジスト層の段階形状に対応した立体形状を創成する光学素子の製造方法において、前記多重露光の工程には、前記レジスト膜に対する露光量と現像後のレジスト膜の残膜率との関係が略一次の比例関係となる最小露光量以上のベース露光量Aで、前記立体形状の創成領域全体を露光するベース露光工程を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
IPC (5件):
G02B 5/18
, G03F 7/20 501
, G03F 7/26 511
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
FI (5件):
G02B 5/18
, G03F 7/20 501
, G03F 7/26 511
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 515 D
Fターム (22件):
2H049AA04
, 2H049AA14
, 2H049AA37
, 2H049AA44
, 2H049AA45
, 2H049AA48
, 2H049AA55
, 2H049AA63
, 2H096AA28
, 2H096EA12
, 2H096HA23
, 2H097AA12
, 2H097BA10
, 2H097BB01
, 2H097EA01
, 2H097GB00
, 2H097JA02
, 2H097LA15
, 2H097LA17
, 5F046BA03
, 5F046CB27
, 5F046DA12
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