特許

J-GLOBAL ID：200903024827451020

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083464
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295915
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造においてRTP(rapid thermal processing)を行うに際して、装置の長さを短くして急速加熱を行い、またウェーハにスリップラインを発生させない。【構成】 相互の間隔を調整可能な上部高温炉1と下部低温炉14を設け、上部高温炉1の下端の開放部に開閉自在なシャッター6を配置し、プロセスチューブ10内をウェーハ18を昇降させる。

請求項（抜粋）：

相互の間隔を調整可能な上部高温炉と下部低温炉、下部低温炉を貫通するプロセスチューブ、このプロセスチューブの内部にウェーハを昇降させるウェーハ支持部材、及び上部高温炉の下端の開放部に配置された開閉自在なシャッターを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造装置。