特許
J-GLOBAL ID：200903024830031768
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095579
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291689
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 高温下におけるキャリアのオーバーフローを低減し、光出力が十分に得られ、かつ遠視野像が真円に近似した半導体レーザ装置を提供する。【構成】 量子井戸構造の半導体レーザ装置において、量子井戸層3の層数(量子井戸数)が多くなるほど光の閉じ込め係数が大きくなるため、利得が大きくなる。しかし、量子井戸数が適当数以上となると遠視野像の量子井戸層3と垂直な方向の広がり角が大きくなる。よって、量子井戸数を6以上10以下にしている。また、共振器長Lcは、半導体レーザ装置の発熱量を抑える必要があるとともに、閾値電流密度を低減すべく250μm以上700μm以下としている。
請求項（抜粋）：
化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ装置において、量子井戸構造を構成する量子井戸層の層数が6以上10以下であり、かつ共振器長が250μm以上700μm以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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