特許

J-GLOBAL ID：200903024830927184

エピタキシアル・シリコン膜

発明者： アーネスト・バスー ,  バーナード・エス・マイヤーソン ,  ケヴィン・ジェイ・ユーラム
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226247
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 500°C以上の低い温度でエピタキシアル付着し、制御された量のホウ素及びゲルマニウムでドープした、シリコンから作成されたシリコン膜材料を提供すること。【構成】 本発明によれば、厚さ及び組成を精密に制御した極めて薄いエピタキシアル付着した1層または複数のシリコン層によって、シリコン膜構造が作成される。その少なくとも1層は、シリコン中のホウ素濃度が2×1020原子/cm3よりも高い濃度範囲のホウ素、または、シリコン中のゲルマニウム濃度が5×1020原子/cm3よりも高い濃度範囲のゲルマニウム、あるいは上記の濃度範囲のホウ素とゲルマニウムの組合せでドープする。【効果】 本発明により、低温法によってドーパントの範囲拡大が可能になり、そのためにこれらのドーパンドに関連する膜の引張り応力及び圧縮圧力とねじれのより大幅な制御が可能になる。

請求項（抜粋）：

シリコン1cm3当たりホウ素原子2×1020個よりも高い濃度範囲のホウ素またはシリコン1cm3当たりゲルマニウム原子5×1020個よりも高い濃度範囲のゲルマニウムでドープしたシリコンを含む膜材料。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-040076
  
• 特開昭63-090152
  
• 特開昭61-035449