特許
J-GLOBAL ID：200903024832198589
発光ダイオードの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175549
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 低電圧で作動し、高発光出力を有する赤外発光ダイオードの製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板上にSiドープのn型及びp型Ga1-xAlxAsエピタキシャル成長層を形成するに際し、エピタキシャル成長開始時のAl混晶比xを0.4≦x≦0.7と高くし、エピタキシャル成長後GaAs基板を除去し、さらにAl混晶比xがx=0.35になるまでn型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層を除去し、n型Ga1-xAlxAs層を光取り出し面として素子化する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にSiを不純物とし成長開始時のAl混晶比xを0.4≦x≦0.7としたn型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層及びp型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層を連続的に成長させた後、GaAs基板を除去し、さらにn型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層表面をAl混晶比xが0.35以下になるまで除去した後に、n型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層側を光取り出し面として素子化することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
