特許

J-GLOBAL ID：200903024833507097

露光方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 佐伯 優
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 宮川 貞二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214136
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045851
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 レチクルパターンが設計データから直接描画できるとともに、計測されたひずみ量によってレチクルパターンを補正して露光する露光方法であり、その露光方法による半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 記憶されている設計データに基づいてレチクルパターンを表示する表示手段に露光光を照射して、感応基板にパターンを形成する露光方法であり、感応基板に形成されるパターンのひずみを測定する測定工程と、測定したひずみに基づいて、表示手段に表示されるべき設計データに前記ひずみに対応する補正を加えてレチクルパターンを表示する表示工程と、前記補正が加えられたレチクルパターンを照射して、前記感応基板にパターンを焼き付ける露光工程とによる露光方法。アライメント機構によって計測したひずみ量によって、パターンの設計データを補正してレチクルパターンを表示することで、レチクルパターンを機構的に補正することなく、位置合わせができる。

請求項（抜粋）：

記憶されている設計データに基づいてレチクルパターンを表示する表示手段に露光光を照射することにより、感応基板にパターンを形成する露光方法において、前記感応基板に形成されるパターンのひずみを測定する測定工程と、前記測定したひずみに基づいて、前記表示手段に表示されるべき設計データに前記ひずみに対応する補正を加えてレチクルパターンを表示する表示工程と、前記補正が加えられたレチクルパターンを照射して、前記感応基板にパターンを形成する露光工程とを備えたことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (6件)：

H01L 21/30 516 A ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 525 E