特許
J-GLOBAL ID:200903024835896023

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-020457
公開番号(公開出願番号):特開平7-230898
出願日: 1994年02月17日
公開日(公表日): 1995年08月29日
要約:
【要約】【目的】 マイクロ波の導波管及びこれに続くプラズマ生成室内部の電界強度分布を均一化し、均等な密度を有するプラズマを生成して、高品質でのプラズマ処理を可能とする。【構成】 プラズマ生成室1の一側に接続されたマイクロ波の導波管2の内部に、横断面内の所定領域を局部的に占める誘電体5,5を、プラズマ生成室1との接続部を含む適長に亘って配設する。これらの誘電体5,5の占有領域に導波管2内部のマイクロ波を集中させ、この領域での電界強度を高めて、導波管2全体における電界強度分布を均一化する。
請求項(抜粋):
試料室と共に減圧されたプラズマ生成室の内部に、一側に接続した導波管を経てマイクロ波を導入し、プラズマを発生させて、前記試料室の内部に配された試料をプラズマ処理する装置において、前記導波管の内部に、前記プラズマ生成室との接続部を含んで適長に亘って配設され、横断面の所定領域を局部的に占める誘電体を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7件):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01P 7/06
FI (2件):
H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C
引用特許:
審査官引用 (2件)

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