特許
J-GLOBAL ID：200903024842978922
半導体ドライ洗浄用炭素電極
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021039
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208315
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：
【要約】【課題】 コロナ放電中に酸化やスパッタリング等による劣化損耗で電極自身から発塵しない半導体ドライ洗浄用炭素電極を提供する。【解決手段】 炭化焼成後にガラス質炭素となる熱硬化性樹脂を成形し炭化処理を行った嵩密度1.6g/cm3以上の炭素材からなる半導体ドライ洗浄用炭素電極で、その炭素電極の先端形状が凸状である半導体ドライ洗浄用炭素電極である。
請求項（抜粋）：
炭化焼成後にガラス質炭素となる熱硬化性樹脂を成形し炭化処理を行った嵩密度1.6g/cm3以上の炭素材からなることを特徴とする半導体ドライ洗浄用炭素電極。
IPC (7件)：
C04B 35/52
, C01B 31/02 101
, C23F 4/00
, C23G 5/00
, H01L 21/304 341
, H01T 19/00
, H01T 23/00
C04B 35/52 A
, C01B 31/02 101 A
, C23F 4/00 Z
, C23G 5/00
, H01L 21/304 341 D
, H01T 19/00
, H01T 23/00
