特許
J-GLOBAL ID：200903024847368618
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175302
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027657
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体レーザと並列に逆方向のpn接合ダイオードを同一の基板上に作製して、長寿命で信頼性の高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 メサストライプ型半導体レーザの両側に電流ブロック層を形成し、その上にp型のGaAsコンタクト層30A,さらにその上にp型のInGaP層31、n型のInGaP層32とGaAsコンタクト層33を順次成長させ、選択的にエッチングして、部分的にp型のInGaP層31と、n型のInGaP層32及びGaAsコンタクト層33を残して、逆方向バイアスダイオードAを形成する。また半導体レーザ部分BとバイアスダイオードAの間に電気的分離用溝37を形成する。半導体レーザのコンタクト層30B及びバイアスダイオードAのn型第2コンタクト層33をプラスにバイアスし、基板21とバイアスダイオードAのコンタクト層30Aをマイナスにバイアスするために電極39〜42を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)半導体レーザ部分を形成する活性層を有するメサストライプ形状に加工された両側に電流ブロック層を形成し、その上に第1導電型のGaAsコンタクト層を形成する工程と、(b)該第1導電型のGaAsコンタクト層上に第1導電型のInGaP層、第2導電型のInGaP層、第2導電型のGaAsコンタクト層を順次成長する工程と、(c)選択エッチングにより、部分的に前記第1導電型のInGaP層、前記第2導電型のInGaP層、前記第2導電型のGaAsコンタクト層を残し、逆方向バイアスダイオードを形成する工程と、(d)前記半導体レーザ部分と前記逆方向バイアスダイオードの間に電気的分離用溝を形成する工程と、(e)前記半導体レーザ部分の第1導電型のGaAsコンタクト層及び前記逆方向バイアスダイオードの第2導電型の第2コンタクト層をプラスにバイアスし、第2導電型の基板と前記逆方向バイアスダイオードの第1導電型の第1のGaAsコンタクト層をマイナスにバイアスできるそれぞれの電極を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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