特許

J-GLOBAL ID：200903024853695094

強制汚染サンプルウェハ作成方法とその作成装置

発明者： 清田 久晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004342
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204602
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 所望の汚染源粒子で均一に制御性良く汚染した強制汚染サンプルウェハを簡単に作成できるようにする。【解決手段】 ウェハ3の表面(例えば酸化膜4表面)を、コロナチャージヘッド6を用いてコロナチャージにより空気中のH2 O、CO2 を荷電することによって任意の極性で任意の電位にチャージアップし、それと同時に或いはその後、該ウェハ3の表面に汚染源となる粒子10を汚染源粒子噴出手段(ノズル)11用いて蒸気状に噴射し、その後、ウェハ3に付着した粒子を定着することにより該ウェハ3表面を汚染し、以て強制汚染サンプルウェハとする。

請求項（抜粋）：

汚染対象となる表面を持つウェハの該表面を、コロナチャージにより雰囲気中の分子を荷電することによって任意の極性でチャージアップし、上記チャージアップと同時に或いはその後、上記ウェハの表面に汚染源(例えばイオン、粒子、金属、有機、酸、塩基)となる粒子を蒸気状に噴射し、その後、上記ウェハに付着した粒子を定着することにより該ウェハを強制汚染することを特徴とする強制汚染サンプルウェハ作成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/00 102 ,  G01N 1/30 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

H01L 21/66 L ,  G01N 1/00 102 B ,  G01N 1/30 ,  H01L 21/02 D