特許

J-GLOBAL ID：200903024854390831

レジストの除去方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284091
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132259
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 アッシング後に残渣の生じないレジストの除去方法を提供する。【構成】 シリコン基板上にレジストパターンを構成し、As+をイオン注入した後、μ波放電プラズマアッシャーでアッシングする際に還元性のガスであるCOを添加する。COにより、Asの酸化物は、還元されて基板上から除去される。このため、残渣の生じないレジスト除去が達成される。

請求項（抜粋）：

半導体基体上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、その後レジストのプラズマアッシングを行うレジストの除去方法において、前記プラズマアッシングに用いるアッシングガスに還元性のガスを添加することを特徴とするレジストの除去方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-216346
  
• 特開昭59-086224
  
• 特開平2-183524