特許

J-GLOBAL ID：200903024855610967

誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ

発明者： 川北 晃司 ,  木村 涼
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121606
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314816
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 高誘電率、低誘電損失の誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサおよび厚膜コンデンサを提供する。【構成】 PbTix(Mg1/3Nb2/3)yZrzO3(x+y+z=1)の組成式において、0.250≦x≦0.500、0.0625≦y≦0.500、0.050≦z≦0.625の範囲(図1の斜線部分に対応)の組成にMnO2を0.1〜3.0wt%を加え、さらに1.0〜25.0モル%のPbOと、10.0〜250.0モル%のAl2O3または組成物を用いることにより、誘電特性に優れたセラミックコンデンサや厚膜コンデンサが得られる。

請求項（抜粋）：

PbTix(Mg1/3Nb2/3)yZrzO3+mMnO2で表される組成の一般式において、x,y,zはそれぞれモル比でx+y+z=1、mはMnO2の添加量でwt%としたとき、0.250≦x≦0.500、0.0625≦y≦0.500、0.050≦z≦0.625、0.1≦m≦3.0の範囲の組成を主成分とし、この主成分のうちのPbTix(Mg1/3Nb2/3)yZrzO3100モル%に対して副成分として1.0〜25.0モル%のPbOと、10.0〜250.0モル%のAl2O3または10.0〜150.0モル%のZr2O3とを添加した誘電体磁器組成物。

IPC (4件)：

H01B 3/12 313 ,  H01B 3/12 305 ,  C04B 35/49 ,  H01G 4/12 415