特許
J-GLOBAL ID:200903024857857498
金属酸化物半導体膜の形成方法、有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこの半導体電極を有する太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
江藤 聡明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-116273
公開番号(公開出願番号):特開2003-308893
出願日: 2002年04月18日
公開日(公表日): 2003年10月31日
要約:
【要約】【課題】 色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を低温で簡易に得ることができる金属酸化物半導体膜の形成方法を提供することにある。を提供すること。【解決手段】 表面に透明電極を有する基板上に、金属酸化物微粒子がバインダに分散されてなる塗布液を塗布し、乾燥して金属酸化物含有塗布層を形成し、次いで該金属酸化物含有塗布膜をプラズマ処理してバインダを除去することにより表面積の大きな金属酸化物半導体膜を形成することを特徴とする金属酸化物半導体膜の形成方法、有機色素増感型金属酸化物半導体電極、及びこれを有する太陽電池。
請求項(抜粋):
表面に透明電極を有する基板上に、金属酸化物微粒子がバインダに分散されてなる塗布液を塗布し、乾燥して金属酸化物含有塗布層を形成し、次いで該金属酸化物含有塗布膜をプラズマ処理してバインダを除去することにより表面積の大きな金属酸化物半導体膜を形成することを特徴とする金属酸化物半導体膜の形成方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
Fターム (19件):
5F051AA07
, 5F051AA14
, 5F051BA14
, 5F051CB11
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB00
, 5H032BB05
, 5H032BB06
, 5H032CC16
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE12
, 5H032EE16
, 5H032HH04
引用特許:
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