特許

J-GLOBAL ID：200903024860647135

結合型基板の製造方法

発明者： 三谷 清 ,  片山 正健 ,  中沢 一志
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206598
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058303
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 結合型基板の結合界面における不純物、特にボロン量を低減し、結合型基板の品質の向上を図る。【構成】 ウェーハの仕上げ洗浄工程と、仕上げ洗浄を行ったウェーハをクリーンルームエアから隔離すべく密閉式ボックス内に保管する工程と、一旦保管された2枚のウェーハを直接クリーンルームエアにあたらない清浄な雰囲気下で重ね合わせる工程と、重ね合わされた2枚のウェーハを結合する結合熱処理工程とを有する。

請求項（抜粋）：

ウェーハの仕上げ洗浄を行う工程と、仕上げ洗浄を行ったウェーハをクリーンルームエアから隔離すべく密閉式ボックス内に保管する工程と、一旦保管された2枚のウェーハを直接クリーンルームエアにあたらない清浄な雰囲気下で重ね合わせる工程と、重ね合わされた2枚のウェーハを結合する結合熱処理工程とを有することを特徴とする結合型基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/324