特許

J-GLOBAL ID：200903024862214082

放射ノイズの評価に適した半導体集積回路及びこれを用いた放射ノイズの評価方法

発明者： 阿部 宏幸 ,  進藤 泰之 ,  渡辺 博文
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250519
公開番号（公開出願番号）：特開平11-094888
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路中のノイズ源となる回路の特定が容易に行える、放射ノイズの評価に適した半導体集積回路を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体集積回路1は、多層配線構造を有し、半導体基板11上に発振回路2を搭載している。発振回路2への信号入力や信号取出のために、第1配線層12および第2配線層13が設けられている。第2配線層13上には、第3配線層14が形成されている。この第3配線層14は、第3金属膜と絶縁膜とから成る。この第3配線層14における第3金属膜により電磁界プローブ8が構成されている。当該半導体集積回路1を動作させた状態で前記電磁界フローブ8に流れる電流を調べることにより、発振回路2における放射ノイズを評価することができる。

請求項（抜粋）：

任意の回路の全体領域または部分領域若しくは任意の信号線領域を囲むように、前記任意の回路が使用する配線層と同じ階層又はその上層に、若しくは前記信号線領域の配線層と同じ階層又はその上層に、導電膜を環状に形成して成る電磁界プローブが設けられていることを特徴とする放射ノイズの評価に適した半導体集積回路。

IPC (5件)：

G01R 29/08 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01Q 1/38

FI (4件)：

G01R 29/08 F ,  H01L 21/66 B ,  H01Q 1/38 ,  H01L 27/04 T