特許

J-GLOBAL ID：200903024863180289

半導体装置及びその製造方法

発明者： 飯田 重雄
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006055
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216379
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 MOS型半導体装置の動作を改良すると共に、この半導体装置の製造工程を簡略化する。【構成】 チャネル領域39の下方にのみ×印で示す閾値調整用不純物の注入された領域及び○印で示すパンチスルーストッパ用不純物の調整された領域を形成する。これによって、ソース領域36、ドレイン領域38の接合容量を減少し、動作の高速性を確保する。さらに、これら閾値調整用及びパンチスルーストッパ用不純物の注入を、サイドウォール48を形成した後に自己整合によって行うため、工程を簡略化することができる。

請求項（抜粋）：

ソース領域と、ドレイン領域と、この両領域に挟まれたチャネル領域とを有するMOS型の半導体装置において、このチャネル領域の下方に設けられたしきい値調整用またはパンチスルーストッパー用の不純物拡散層を含み、上記不純物拡散層は、チャネル領域下方にのみ形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 P