特許

J-GLOBAL ID：200903024864917900

リードフレームとリードフレームの製造方法と半導体装置と半導体装置の組立方法と電子機器

発明者： 大沢 健治 ,  草野 英俊 ,  牧野 晴彦 ,  高橋 秀幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354244
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074413
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 バンプを有するリードフレームの製造において、バンプの形成位置の位置精度を高め、ボンディング性の確保に必要な厚さのバンプを比較的短時間に形成し、バンプとインナーリードとの接着性を充分にし、バンプを成す金属の無駄な使用をなくし、ボンディング性を、ギャングボンディングが可能なるよう高める。【解決手段】 金属ベース1上にバンプを成す金属(例えば金或いはパラジウム)膜6を電解メッキにより形成し、その後、バンプを成す金属(金或いはパラジウム)膜6(或いは6a)に接続されたインナーリードを含む回路配線7を金属の電解メッキにより形成する

請求項（抜粋）：

金属からなるベース上の少なくとも半導体チップの各電極とボンディングされる位置にバンプを成す金属膜をメッキにより形成し、その後、上記バンプを成す金属膜に接続されたインナーリードを含む回路配線を金属のメッキにより形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 23/50

FI (4件)：

H01L 23/12 S ,  H01L 21/60 321 E ,  H01L 23/50 ,  H01L 23/50 Z