特許

J-GLOBAL ID：200903024868009197

半導体ウェーハの加熱装置

発明者： 多田 圭志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343029
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189611
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 表面温度の均一性を向上させることができる半導体ウェーハの加熱装置を提供すること。【解決手段】 ヒートステージ12のステージ面12aに、同心的に環状の複数の溝13A、13B、13Cを形成すると共に、これらの溝13A〜13Cにそれぞれガス導入用孔14A、14B、14C、及びガス排気用孔15A、、15B、15Cを設ける。又、各溝13A〜13Cに導入するガスの圧力をそれぞれ独立に制御可能とする。この構成により、ウェーハの中心部から周辺部にかけて均一な表面温度分布特性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

内部にヒータが設けられたヒータハウジングの上面を半導体ウェーハが載置されるステージ面とし、該ステージ面と前記半導体ウェーハの裏面との間にガスを導入することにより前記半導体ウェーハを加熱するようにした半導体ウェーハの加熱装置において、前記ステージ面に、複数の溝を相隔絶して形成し、かつ、該複数の溝にそれぞれガス導入用孔及びガス排気用孔を設けたことを特徴とする半導体ウェーハの加熱装置。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/324 J ,  H01L 21/324 Q ,  H01L 21/205