半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-222285
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064796
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】単にアライメントマークを形成するだけでは高温スパッタ法によってアルミニウム合金膜を形成した場合にアライメントマーク以外の領域に比較的大きなグレインが生成され、アライメント時にこれをアライマントマークと認識し間違えるという問題があった。【解決手段】この発明によるアライメントマークは主となる通常のアライメントマークの周囲に微細アライメントマークを複数個形成し、この微細アライメントマークが形成された領域においては、高温スパッタ法によってアルミニウム合金膜を積層した場合でもグレインは大きく成長することがなく、主となるアライメントマークと、その周囲に形成されたグレインとを認識し間違えることがなく、正確なアライメントが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されるアライメントマークは、上記半導体基板上に形成される凸状若しくは凹状の主アライメントマークに加え、上記主アライメントマークの周囲に複数の微細アライメントマークが形成された状態であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 502 M , G03F 7/20 521

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