特許

J-GLOBAL ID：200903024869937969

半導体受光素子、その製造方法および半導体の加工方法

発明者： 古川 量三 ,  牛窪 孝
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304351
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162022
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 素子容量が小さく、かつシリーズ抵抗の小さい周波数特性の優れた半導体受光素子を提供すること。【構成】 半絶縁性InP基板上82に、n型の不純物濃度が1×1018個/cm2 の高濃度のInPの第1バッファ層84、第2バッファ層86、光吸収層88、ウインド層90を順次に積層し、ウインド層90にはp+ 拡散領域92が設けてある。また、p+ 拡散領域92を取り囲むように閉ループ状の素子分離用溝100が設けてあり、この溝は半絶縁性InP基板82に達している。そして、素子分離用溝100に囲まれた領域であって、p+ 拡散領域92と離間した領域に、第1バッファ層84に達する深さの電極形成用溝102を具え、この溝102でn側電極108が第1バッファ層84とオーミック接触する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に、第1導電型の不純物濃度が5×1017個/cm2 よりも高濃度のバッファ層、光吸収層、および、第2導電型の不純物の拡散領域を設けたウインドウ層を順次に積層した積層体を具え、前記拡散領域の所定部分上に、第1主電極を具え、前記拡散領域を取り囲み、前記下地に達する深さの素子分離用溝を具えた半導体受光素子において、前記素子分離用溝に囲まれた領域であって、前記拡散領域と離間した領域に、前記バッファ層に達する深さの電極形成用溝を具え、前記電極用溝で前記バッファ層とオーミック接触する第2主電極を具えてなることを特徴とする半導体受光素子。