特許
J-GLOBAL ID：200903024870478927

所定張力を持つダイアフラムを有するトランスデューサを製造する方法

発明者：
ミューレンボルン マティアス

ミューレンボルン マティアス について

, 
ロンバック ピルミン

ロンバック ピルミン について


出願人/特許権者：
マイクロトロニック アクティーゼルスカブ

マイクロトロニック アクティーゼルスカブ について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-554170
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518913
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：
【要約】所定張力を持つダイアフラム(11)を有するタイプのトランスデューサを製造する方法である。トランスデューサをその基本的構造をもって製造した後、ダイアフラムを、所定張力を有するように調整する。この所定張力は、高感度を得るために低いのが好ましい。ここには2つの実施例が開示してある。一実施例は、ダイアフラムを保持している材料(12、14)のガラス転移温度より高い温度までトランスデューサを加熱する。別の実施例は、ダイアフラムの実際の張力を測定することを含み、これを用いて所望張力を有するダイアフラムの厚さの調整量を算出することができる。
請求項（抜粋）：
ダイアフラム(11)が、基体(10)に対して間隔を隔てられた所定位置に保持されており、この位置において、ダイアフラム(11)が平衡状態にあり、ダイアフラム(11)が平衡状態位置のまわりに動くことができるような所定張力を有する、ダイアフラム(11)および基体(10)を有するタイプの微細機械加工トランスデューサの製造方法において、 基体(10)を設ける段階と、 基体(10)に対する所定位置にダイアフラム(11)を保持する段階と、 この所定位置においてダイアフラム(11)を、所定張力を有するように調整する段階と、を包含することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H04R 31/00 ,  H04R 19/04
FI (2件)：
H04R 31/00 C ,  H04R 19/04
Fターム (3件)：
5D021CC04 ,  5D021CC05 ,  5D021CC20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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