特許
J-GLOBAL ID：200903024870545691
半導体記憶装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066742
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283686
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 高ホットキャリア耐性とメモリの高速動作の要求を共に満足させた半導体記憶装置とその製造方法を提供する。【構成】 高電圧のかからないメモリセル内のMOSトランジスタについては、比較的小さい第1のゲート・バーズビーク(16)を形成し、一方高電圧にかかる周辺回路内のMOSトランジスタについては、より大きな第2のゲート・バーズビーク(18)を形成する。これにより、メモリセル内のMOSトランジスタの電流駆動能力を維持しつつ、周辺回路内のMOSトランジスタの高ホットキャリア耐性を自由に実現できるので、上記の目的を達成することができる。
請求項（抜粋）：
ゲート・バ-ズビ-クを利用したMOSトランジスタで構成された半導体記憶装置において、メモリセル内のMOSトランジスタについては第1のゲ-ト・バ-ズビ-クが形成され、周辺回路内のMOSトランジスタについては第1のゲ-ト・バ-ズビ-クよりも大きい第2のゲ-ト・バ-ズビ-クが形成されて成ることを特徴とした半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/76
, H01L 21/316
H01L 27/10 325 R
, H01L 21/94 A
