特許
J-GLOBAL ID：200903024874055010
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211381
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036651
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極加工において、レジスト・マスクに由来する炭素の影響を排し、下地のゲート酸化膜に対する選択性を向上させる。【構成】 HBrを用いてDOPOS層23を異方性エッチングし、エッチング速度の速い領域AにおいてSiO2 からなるゲート酸化膜22が露出したところでウェハに中性Arビームを照射し、該ゲート酸化膜22の露出部に耐還元層22aを形成する。その後、エッチング速度の遅い領域Bに残存するDOPOS層23をHBrを用いてオーバーエッチングする。このとき、レジスト・マスク24がスパッタされて炭素が放出されるが、領域Aでは耐還元層22aがゲート酸化膜22中からの酸素原子の引き抜き(還元)を防止する。したがって、HBr本来のメリットを活かした高選択性,高異方性エッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
酸化シリコン系材料層の上に積層されたシリコン系材料層を選択的にエッチングするドライエッチング方法において、前記シリコン系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングする第1の工程と、被エッチング基板に中性ビームを照射する第2の工程と、前記シリコン系材料層のオーバーエッチングを行う第3の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 29/784
