特許

J-GLOBAL ID：200903024879435350

低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法

発明者： 遠山 英
出願人/特許権者： 釜屋電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106302
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、従来得られていた各種特性を維持しつつ、低抵抗化とより良好なTCRの確保とを可能にする低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成される一対の表電極と、該表電極を跨ぐように形成される抵抗膜と、該抵抗膜を被覆する保護膜とを備えてなる低抵抗チップ抵抗器であって、上記表電極が、Ag・Pd系メタルグレーズ下層膜及び/又はAg系メタルグレーズ上層膜からなる第1表電極層と、該第1表電極層上に並設される膜厚30μm以上のCuめっき膜からなる第2表電極層とを含むことを特徴とする低抵抗チップ抵抗器。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板上に形成される一対の表電極と、該表電極を跨ぐように形成される抵抗膜と、該抵抗膜を被覆する保護膜とを備えてなる低抵抗チップ抵抗器であって、上記表電極が、Ag・Pd系メタルグレーズ下層膜及び/又はAg系メタルグレーズ上層膜からなる第1表電極層と、該第1表電極層上に並設される膜厚30μm以上のCuめっき膜からなる第2表電極層とを含むことを特徴とする低抵抗チップ抵抗器。

IPC (2件)：

H01C 7/00 ,  H01C 17/06

FI (2件)：

H01C 7/00 B ,  H01C 17/06 G

Fターム (19件)：

5E032AB10 ,  5E032BA07 ,  5E032BB01 ,  5E032CA02 ,  5E032CB04 ,  5E032CC03 ,  5E032CC06 ,  5E032CC07 ,  5E032CC14 ,  5E033AA18 ,  5E033AA23 ,  5E033BA03 ,  5E033BB02 ,  5E033BC01 ,  5E033BD01 ,  5E033BE02 ,  5E033BG02 ,  5E033BG03 ,  5E033BH02