半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352139
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173200
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】簡易な手段で低濃度不純物領域を形成し、半導体装置の製造コストを下げる。【解決手段】まず、レジストマスク106をマスクとしたドライエッチング法によりアルミニウムパターン107、ゲイト絶縁膜108を形成する。次に、アルミニウムパターン107の側面のみを選択的にエッチングして、レジストマスクよりも幅の狭いアルミニウムパターン107’を形成する。そして、ゲイト絶縁膜108とゲイト電極110をマスクとしてイオン注入を行い、自己整合的に低濃度不純物領域を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に活性層と該活性層を覆う珪素を主成分とする絶縁膜とを形成する第1の工程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜上にアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる金属膜を成膜する第2の工程と、前記金属膜上に選択的にレジストマスクを形成する第3の工程と、前記金属膜をドライエッチング法によりエッチングする第4の工程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜をドライエッチング法によりエッチングする第5の工程と、前記金属膜の側面のみを等方的にエッチングする第6の工程と、前記レジストマスクを除去した後に、前記活性層に対して一導電性を付与する不純物イオンを添加する第7の工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 29/78 616 A , H01L 21/302 G

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