特許
J-GLOBAL ID：200903024881865540
太陽電池及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212425
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078710
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】高光電変換効率を有す太陽電池の構成、及び、PN特性や基板特性の変化を抑制でき、作製を容易に短時間で行える太陽電池の製造方法を提供する。【構成】第1導電型のシリコン半導体基板11と、このシリコン半導体基板11の光入射側に形成した第2導電型のシリコン半導体層12と、シリコン半導体基板11の裏面上に形成した水素を有する非晶質シリコン半導体層16と、シリコン半導体基板11の裏面上に接し、前記水素を有する非晶質シリコン半導体層16部に分散させて形成した第1導電型の水素を有する微結晶シリコン半導体層17とを備えた構成とする。また、前記第1導電型の水素を有する微結晶シリコン半導体層17は、例えば、第1導電型の不純物の雰囲気中で、前記水素を有する非晶質シリコン半導体層16の一部にレーザ光を照射することにより形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のシリコン半導体基板と、該シリコン半導体基板の光入射側に形成した第2導電型のシリコン半導体層とを有する太陽電池において、前記シリコン半導体基板の裏面上に形成した水素を有する非晶質シリコン半導体層と、前記シリコン半導体基板の裏面上にあって、前記水素を有する非晶質シリコン半導体層部に分散させて形成した第1導電型の水素を有する微結晶シリコン半導体層と、を備えたことを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 L
, H01L 31/04 N
