特許
J-GLOBAL ID：200903024882688650
半導体装置の製造方法と研磨装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109440
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321076
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【構成】 本発明においては、研磨装置のプラテン上に貼られる研磨布に放射状の溝13を設け、研磨液のはけを向上させ、ウエハの周辺部と中央部で研磨量の差が生じない構造とする。併せてこの研磨装置を用いて、ウエハ上の層間膜の平坦化工程や、埋め込み素子分離膜の平坦化工程を行う。【効果】 本発明によれば研磨液のはけが向上するために、ウエハの周辺部と中央部で研磨量の差が少なく平坦化を行うことが可能となる。層間膜の平坦化工程においては、層間膜が研磨されすぎることがなく、配線間のショートを防ぐことができる。また素子分離膜の平坦化工程においては、ウエハが研磨されることがなく、ウエハの転位によるジャンクションリークの発生を防ぐことが可能となる。
請求項（抜粋）：
表面に段差を有する半導体基板を用意する工程と、前記段差表面上に絶縁層を形成する工程と、放射状に溝を有する研磨布により前記絶縁膜を研磨する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 1/00
, B24B 37/04
, H01L 21/3205
