特許
J-GLOBAL ID:200903024883068353

アクティブマトリクス型液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-069776
公開番号(公開出願番号):特開平10-268346
出願日: 1997年03月24日
公開日(公表日): 1998年10月09日
要約:
【要約】【課題】 層間絶縁膜を介し設けられる画素電極及びスイッチング素子を電気的に導通するため、層間絶縁膜に形成される微細なスルーホールを生産性及び液晶表示素子の開口率を低下する事無く確実に形成し、導通不良による点欠点を生じる事無く良好な表示品位を得る。【解決手段】 層間絶縁膜46のスルーホール形成領域下方にTFT18成膜工程と同一工程にて形成されるゲート下地膜31a、ゲート絶縁膜32、半導体下地膜34a、チャネル保護下地膜36a、コンタクト下地膜37a、ソース電極下地膜40aからなる下地膜44を形成し、スルーホール43を形成するためのフォトレジスト56の膜厚を薄くしフォトリソグラフィ工程によるフォトレジスト56の解像力の低下を抑止し、スルーホール43を確実に形成する。
請求項(抜粋):
絶縁基板上の複数の信号配線の交点に配列されるスイッチング素子及び、このスイッチング素子を被覆する層間絶縁膜上にマトリクス状に配列され、前記層間絶縁膜に形成されるスルーホールを介して前記スイッチング素子に接続される画素電極を有するアレイ基板と、共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封入される液晶組成物とを具備するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の前記スルーホール形成領域の下方に前記層間絶縁膜成膜位置を高くする為の下地膜を形成する事を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343
FI (3件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343

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