特許

J-GLOBAL ID：200903024883760230

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法

発明者： 飯野 栄一 ,  高野 清隆 ,  布施川 泉 ,  山岸 浩利 ,  桜田 昌弘
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134274
公開番号（公開出願番号）：特開平8-002993
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 酸化膜耐圧の高い、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶を高生産性で得る。【構成】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの高温域を通過する時間が 200分以上となるようにし、 1,200°Cから 1,000°Cまでの低温域を通過する時間が 150分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの高温域を通過する時間が 200分以上となるようにし、 1,200°Cから 1,000°Cまでの低温域を通過する時間が 150分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208