特許

J-GLOBAL ID：200903024888947002

薄膜トランジスタの作製方法

発明者： 大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215256
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051003
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【目的】 LDD領域やオフセットゲイト領域を備えた薄膜トランジスタの高周波特性を向上させる。【構成】 レジストマスク108を利用することにより、ゲイト電極の一方の側面のみに陽極酸化物109を形成する。この陽極酸化物を利用することにより、ドレイン領域側のみにLDD領域あるいはオフセットゲイト領域を形成する。

請求項（抜粋）：

陽極酸化可能な金属材料でなるゲイト電極となるべきパターンを形成する工程と、該パターンの一方の側面をマスクする工程と、前記パターンを陽極とした陽極酸化を行うことにより、前記パターンの露呈した他方の側面に選択的に陽極酸化物を形成する工程と、を有し、前記陽極酸化物によって活性層中に形成される高抵抗領域が画定されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 W