特許

J-GLOBAL ID：200903024895930425

エピタキシャル半導体基板およびその製造方法ならびに半導体装置の製造方法ならびに固体撮像装置の製造方法

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094364
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297976
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 炭素ゲッタリングを施したエピタキシャル半導体基板の良否を正確にかつ迅速に判定し、このエピタキシャル半導体基板を用いて特性の良好な固体撮像装置などの半導体装置を製造する。【解決手段】 Si基板1の表面に炭素を選択的にイオン注入して炭素注入領域4および炭素未注入領域5を形成した後、このSi基板1の表面にSiエピタキシャル層6を形成してSiエピタキシャル基板7を製造する。炭素未注入領域5上の部分のSiエピタキシャル層6で再結合ライフタイムまたは表面光電圧の測定を行い、その結果に基づいてSiエピタキシャル基板7の良否を判定する。これによって選別された良好なSiエピタキシャル基板7を用いて固体撮像装置などの半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に炭素がイオン注入され、上記半導体基板の上記一主面上に半導体からなるエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル半導体基板において、上記半導体基板の上記一主面に炭素の未注入領域が少なくとも一箇所以上設けられていることを特徴とするエピタキシャル半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/66 ,  H01L 31/02

FI (4件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 21/322 J ,  H01L 21/66 M ,  H01L 31/02 A