特許
J-GLOBAL ID：200903024903989167
液晶パネル用基板とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273568
公開番号（公開出願番号）：特開平8-136951
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 製造工程の簡略化と開口率の改善とコントラスト比の向上した液晶パネル用基板とその製造方法を提供する。【構成】 透明性絶縁基板2に複数の走査線11と、少なくとも一層以上の絶縁層25、37を介して前記走査線11と概ね直交する複数本の信号線12と、これらの線11、12の交点毎に少なくとも一つの絶縁ゲート型トランジスタ10と絵素電極14とを有する液晶パネル用基板であって、ゲートを兼ねる走査線11が透明導電層34と金属層との積層よりなり、ゲート絶縁層25が少なくとも酸化タンタル層を含み、この絶縁層25が絵素電極14と自己整合的に除去されていることにより、写真食刻工程を1回分省略でき、明るい画像が得られ、さらに多少開口率を犠牲にすれば高いコントラスト比が得られ、基板上にパシベーション層を形成せずにブラックマトリクスを同時に形成することもできる。
請求項（抜粋）：
透明性絶縁基板の一主面上に複数本の走査線と、少なくとも一層以上の絶縁層を介して前記走査線と概ね直交する複数本の信号線と、走査線と信号線の交点毎に少なくとも一つの絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有する液晶パネル用基板であって、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートを兼ねる走査線が透明導電層と金属層との積層よりなるとともに、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁層が少なくとも酸化タンタル層を含み、前記絵素電極上の酸化タンタル層を含む絶縁層が絵素電極と自己整合的に除去されていることを特徴とする液晶パネル用基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
