特許
J-GLOBAL ID：200903024909741248
不揮発性メモリセル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
南條 眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185112
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029464
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体薄膜の自発分極が安定でかつ歪みあるいはクラックが入ることがないな不揮発性メモリを得る。【構成】 トランジスタからなる能動部及び強誘電体薄膜を用いたキャパシタからなる記憶部から構成される不揮発性メモリセルの強誘電体薄膜を強誘電体優位配向薄膜とする。
請求項（抜粋）：
能動部及び記憶部から構成され、前記能動部はトランジスタからなり、前記記憶部は強誘電体薄膜を用いたキャパシタからなり、前記強誘電体薄膜が強誘電体優位配向薄膜であることを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (2件)：
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