特許
J-GLOBAL ID：200903024910385447
半導体レーザモジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340030
公開番号（公開出願番号）：特開平6-186501
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 光通信の光源として用いる半導体レーザモジュールにおいて、フェルールをレンズマウントに固定した後フェルール端面を斜め研磨することにより、半導体レーザモジュールの光出力安定化およびレーザ発振特性の安定化を図る。【構成】 あらかじめレンズ22を固定したレンズマウント25のきょう筒部にあらかじめ光ファイバ210に固定したフェルール29を挿入し半田固定もしくは溶接固定する。その後フェルール29端面をレンズ光軸23に対してある特定の方向に斜め研磨する。その次に半導体レーザ21、光アイソレータ24、モニタ用フォトダイオード26、サーミスタ28をレンズマウント25上に固定する。そしてあらかじめパッケージ211底部に半田固定された温度制御素子26上にレンズマウント25を半田固定する。最後に光ファイバとパッケージとの隙間を気密封止樹脂211で固定し、更にシーム溶接によりパッケージ29にフタを付け外気に対して密封する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、前記半導体レーザ出射光を集光する少なくとも一個のレンズと、光アイソレータと、レンズマウントと、および入射側にフェルールを有する光出力用光ファイバで構成され、前記半導体レーザ、前記レンズ、前記光アイソレータおよび前記光ファイバのフェルールが、前記レンズマウント上に固定され、前記フェルールは前記レンズマウントに固定された後斜め研磨されることを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
IPC (3件)：
G02B 27/28
, G02B 6/42
, H01S 3/18
