特許

J-GLOBAL ID：200903024915536532

不純物ドープシリコン薄膜の製造方法

発明者： 石田 聡 ,  馬場 俊明 ,  寺田 典裕 ,  脇坂 健一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059494
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273040
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 不純物を含有した非晶質シリコン薄膜を加熱溶融して結晶化し、所定の不純物濃度分布を有した結晶化シリコン薄膜を形成する。【構成】 熱溶融による結晶化に伴い基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度が膜中央部での不純物濃度よりも相対的に低下することにより結晶化シリコン薄膜の厚み方向の不純物濃度分布が不均一化するのを抑制すべく、非晶質シリコン薄膜における基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度を膜中央部での不純物濃度よりも相対的に高く設定することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

不純物を含有した非晶質シリコン薄膜を基板上に形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜を加熱溶融して結晶化する工程とを備える不純物ドープシリコン薄膜の製造方法において、前記加熱溶融による結晶化に伴い基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度が膜中央部での不純物濃度よりも相対的に低下することにより前記結晶化シリコン薄膜の厚み方向の不純物濃度分布が不均一化するのを抑制すべく、前記非晶質シリコン薄膜における基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度を膜中央部での不純物濃度よりも相対的に高く設定しておくことを特徴とする不純物ドープシリコン薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/26 L ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭60-029754