炭素元素からなる円筒形物質の形成方法及びその形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-361071
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126254
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】半導体的性質のカーボンナノチューブを選択的に形成することを可能とし、高い歩留りで量産性に優れたカーボンナノチューブの形成を実現する。【解決手段】カーボンナノチューブ21が電極14a,14b間に架橋成長し終えた後、電極14a,14b間に電圧印加機構3により電極14a,14b間に金属的性質のカーボンナノチューブを切断破壊する程度の値(ここでは、カーボンナノチューブを通して流す電流密度が単位cm2当たり100万アンペア以上)であり、且つ半導体的性質のカーボンナノチューブを非破壊の状態に残す程度の電圧V2を印加する。これにより、半導体的性質のカーボンナノチューブ23のみを得る。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に金属領域を形成する工程と、化学的気相成長法により、前記金属領域において炭素元素からなる円筒形物質を成長させる工程と、前記金属領域に、金属的性質の前記円筒形物質を破壊し、且つ半導体的性質の前記円筒形物質を非破壊の状態に残す程度の電圧を印加する工程とを含むことを特徴とする炭素元素からなる円筒形物質の形成方法。

IPC (3件)：

C01B31/02 , B82B3/00 , H01L29/06

FI (3件)：

C01B31/02 101F , B82B3/00 , H01L29/06 601N

Fターム (12件)：

4G146AA11 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BB23 , 4G146BC44 , 4G146CB09 , 4G146CB11 , 4G146CB15 , 4G146CB28 , 4G146DA03 , 4G146DA32 , 4G146DA41

引用特許：

出願人引用 (1件)

2つの電気伝導性部材間に少なくとも1つのナノチューブを形成するための方法ならびにそのような方法を実施するための装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-373066 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

審査官引用 (1件)

2つの電気伝導性部材間に少なくとも1つのナノチューブを形成するための方法ならびにそのような方法を実施するための装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-373066 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

引用文献：

出願人引用 (7件)

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審査官引用 (7件)

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