特許
J-GLOBAL ID：200903024921270978
電子ビーム描画方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352721
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177027
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 上層レジストを均一に塗布することができ、多くのプロセスを経ても検出精度が保持され、位置合わせ精度良くパターン形成のできる電子ビーム描画方法、及び半導体装置を得る。【構成】 シリコン基板1上にシリコン酸化膜5を形成し、この上にタングステン9aを蒸着し、このタングステン9aを材料として位置合わせマーク9のパターンを形成する。さらにこの上にシリコン酸化膜8を形成し、電子ビーム用感光性レジスト3を平坦に塗布して、電子ビーム4によりこの位置合わせマーク9を検出する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した位置合わせマークを位置の基準として電子ビーム描画を行う電子ビーム描画方法において、電子ビーム用感光性レジスト以外の層中に重金属材料からなる位置合わせマークを形成する工程を含むことを特徴とする電子ビーム描画方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 9/00
