特許

J-GLOBAL ID：200903024922802256

半導体装置とその製造方法

発明者： 小野 瑞城
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087096
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286411
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 接触抵抗に起因する寄生抵抗の抑制を計り、その結果として低い電圧で高い駆動力を有し速い速度で動作する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置に於いて、N型半導体層上とP型半導体層上とに異なる金属ないしは金属珪化物の層を設ける。これにより半導体装置を形成すると、配線の金属とシリコンとの界面の接触抵抗をN型半導体層上とP型半導体層上とで同時に低減する事ができる。その為、素子の寄生抵抗を抑制する事が可能となり、低い電圧下で高い駆動力を有する電界効果トランジスターが構築される。その結果として低い電源電圧下で速い速度で動作する半導体装置が提供される。

請求項（抜粋）：

IV族の元素よりなる半導体基板上にIII族の不純物を含有する領域とV族の不純物を含有する領域とを有し、かつIII族の不純物を含有する領域の表面の少なくとも一部に第一の金属よりなる層が形成され、かつV族の不純物を含有する領域の少なくとも一部に第一の金属とは異なる第二の金属よりなる層が形成されている事を特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/46 S ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 29/78 301 P

Fターム (67件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB19 ,  4M104BB22 ,  4M104CC03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE14 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG15 ,  4M104HH17 ,  5F040DA01 ,  5F040DA02 ,  5F040DA10 ,  5F040DB03 ,  5F040DB07 ,  5F040DB09 ,  5F040DB10 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED03 ,  5F040EF14 ,  5F040EH02 ,  5F040EH05 ,  5F040EH10 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040EL02 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA12 ,  5F040FB04 ,  5F040FC10 ,  5F040FC11 ,  5F040FC18 ,  5F040FC19 ,  5F040FC21 ,  5F048AA00 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27